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产品名称：超高量程X（γ）核电探测器ION-H核辐射
发布时间：2020-04-12
产品型号：ION-H
产品特点：超高量程X（γ）核电探测器ION-H采用半导体传感器，量程跨度为200μSv/h~100Sv/h，采用全新的工艺，大大缩减了产品尺寸，目前尺寸低至φ29mm×53mm，迷你的设计大大拓展了应用空间，满足用户多方面的需求；ION-H集成自动切换技术，测量数据在探头内部进行处理，自动切换高低量程，采用耐辐照材质封装，可在大剂量环境下连续运行。超高量程X（γ）核电探测器ION-H核辐射
超高量程X(γ)核电探测器ION-H介绍
超高量程X(γ)核电探测器ION-H采用半导体传感器，量程跨度为200μSv/h~100Sv/h，采用全新的工艺，大大缩减了产品尺寸，目前尺寸低至φ29mm×53mm，迷你的设计大大拓展了应用空间，满足用户多方面的需求；ION-H集成自动切换技术，测量数据在探头内部进行处理，自动切换高低量程，采用耐辐照材质封装，可在大剂量环境下连续运行。
超高量程X(γ)核电探测器ION-H具有灵敏度高、测量范围宽、精度高、抗干扰能力强、稳定性好、应用范围广、耐辐照等特点，标配RS485输出，支持协议输出，工作电源为5-12VDC，可外接R700和R2000主机作为显示器，并可直接通过主机设置相关参数，这一功能的开发既确保了探头的测量精准度又增强了环境适应性。
应用范围
超高量程X(γ)核电探测器ION-H不仅适用于核电事业，还可广泛用在制药厂、实验室、发电厂、采石场、紧急状况营救站、金属处理厂、油田和供油管道装备、环境保护、jin察局等部门。
主要技术参数
探测器 | 耐辐照半导体传感器 |
尺寸 | 低至φ29mm×53mm |
测量射线种类 | X、γ射线 |
探头性能 | 耐辐照封装，可在大剂量环境下连续运行 |
设计方式 | 采用传感器与电子线路合并设计方式 |
能量响应 | 60keV~2MeV(≤30%) |
精度 | ±10%(Co-60) |
角响应 | ±20%(1.33MeV， Co-60) |
测量量程 | 200µSv/h-1Sv/h 500µSv/h-10Sv/h 800µSv/h-50Sv/h |
线缆长度 | 可根据用户需求定制 |
过载特性 | 10倍过载 |
| 重量 | 130g |
输出端口 | RS485或RS232支持协议输出 |
相对湿度 | ≤95% R.H (无冷凝) |
工作温度 | -20℃～+60℃ |
存储温度 | -30℃～+70℃ |
工作气压 | 86kPa~106kPa |
供电电源 | 5-12VDC |
拓展项 | 可外接R700和R2000主机显示 |
核辐射仪分类列表 | |||||
可检测射线 | 产品型号 | 传感器 | 量程 | γ射线灵敏度(Cs137,1µSv/h) | 特点 |
便携式 | |||||
α、β | R900 | 硫化锌+塑料闪烁体 | 1Mcps | -- | 有效面积170cm2 |
R700 | 硫化锌+塑料闪烁体 | 1Mcps | -- | 有效面积30cm2 | |
α、β、γ | R500 | 盖革计数器 | 1mSv/h | 7cps | 大型端窗盖革管 无法分辨射线类别 |
910 | 盖革计数器 | 1mSv/h | 2cps | 小型端窗盖革管 无法分辨射线类别 | |
R800 | CZT半导体 | γ：10mSv/h β：1mSv/h | 7cps | 同时测量并区分显示α、β和γ射线 | |
γ | RS10 能谱分析仪 | Φ50x50mmdian化钠 | 1mSv/h | 800cps | 能谱分析，能量分辨率<8%@662kev(Cs-137) |
10x10x10mm3碲锌镉 | 10mSv/h | 60cps | 能谱分析，能量分辨率<1.5%@662kev(Cs-137) | ||
R100 | GM计数管 （经能量补偿） | 100mSv/h | 2cps | 个人剂量报警仪，能量范围20keV~3MeV | |
R750 | Φ80x80mm 塑料闪烁体 | 0.2mSv/h | 2000cps | 环境级，超高灵敏度 能量范围15keV~7MeV(±15%) | |
RW10 | φ35×35mmdian化钠 | 1.5mSv/h | 400cps | 100米水下连续工作 | |
ION-H | 耐辐照闪烁体传感器 | 100Sv/h | 77cps | 高量程测量，量程可选10Sv/h、 20Sv/h、 50Sv/h、100Sv/h | |
R700 | Φ75x75mm塑料闪烁体 | 0.2mSv/h | 1500cps | 环境级，较高灵敏度 | |
R700 | Φ30x30mmdian化钠 | 1mSv/h | 350cps | 对γ射线探测效率高、1秒快速响应 | |
RC510 γ射线成像 | GAGG晶体 | 10mSv/h | 500cps | 高灵敏度传感器，编码孔成像技术 快速识别、定位辐射源 | |
中子、γ | R60N | 10×10×10(mm3)H型传感器 | 10mSv/h(中子） | 0.5cps(Cf-252 ) | 单个传感器可同时检测中子和γ射线 γ抑制比≥1000：1 同等体积下灵敏度高3He传感器20倍 |
20×20×20(mm3)H型传感器 | 2.7cps(Cf-252 ) | ||||
墙挂式R2000 | |||||
γ
| GM30A | 盖革计数器 | 1mSv/h | 2cps | 小型端窗盖革管 X、γ能量响应：50keV-3MeV |
CS30A | Φ30x30mm 塑料闪烁体 | 1mSv/h | 350cps | 1秒快速响应 | |
CS75 | Φ75x75mm塑料闪烁体 | 0.2mSv/h | 1500cps | 环境级 较高灵敏度 | |
中子、γ | N10 | 10×10×10(mm3)H型传感器 | 10mSv/h(中子) | 0.5cps(Cf-252 ) | 单个传感器可同时检测中子和γ射线 γ抑制比≥1000：1 同等体积下灵敏度高3He传感器20倍 |
N20 | 20×20×20(mm3)H型传感器 | 2.7cps(Cf-252 )
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